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SVG095R5NT
低壓MOS功率管

SVG095R5NT  N溝道增強型功率MOS場效應晶體管采用士蘭的LVMOS 工藝技術制造。先進的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導通電阻、優(yōu)越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。

該產(chǎn)品可廣泛應用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領域。

主要特點

  • 120A，90V，RDS(on)（典型值）=4.6mW@VGS=10V

  • 低柵極電荷量

  • 低反向傳輸電容

  • 開關速度快

  • 提升了dv/dt 能力

技術文檔
標題 類型 大小 (KB) 日期 下載最新中文版本
SVG095R5NT PDF 359 2020-12-05 SVG095R5NT 說明書_1.2
封裝外形圖